BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon et BSC030N03MSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,24 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |