BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon e BSC030N03MSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,24 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 3M |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55°C to +150°C |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |