BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC042NE7NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC030N03MSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 生産中
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC042NE7NS3GATMA1 BSC030N03MSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.24 $0.43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
動作温度範囲 -55C to +150C —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series — OptiMOS 3M
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
動作接合温度 — -55°C to +150°C
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

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