BSC0502NSIATMA1 vs BSO220N03MDGXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0502NSIATMA1 par Infineon et BSO220N03MDGXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0502NSIATMA1 BSO220N03MDGXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,24
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 3M
Configuration — Dual N-Channel (2N-CH), independent
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) — 7.7 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 22 mΩ max @ V_GS=10V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G nC]
Power Dissipation (P_D) — 1.4 W
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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