BSC0502NSIATMA1 vs BSO220N03MDGXUMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0502NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSO220N03MDGXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0502NSIATMA1 BSO220N03MDGXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.85 $0.24
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 3M
Configuration — Dual N-Channel (2N-CH), independent
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) — 7.7 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 22 mΩ max @ V_GS=10V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G nC]
Power Dissipation (P_D) — 1.4 W
MSLレベル — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes

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