BSC050N03LSGATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC050N03LSGATMA1 par Infineon et BSC014N04LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC050N03LSGATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55 C to +150 C
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Tradename — OptiMOS

Fiches techniques et ressources

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