BSC050N03LSGATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC050N03LSGATMA1 por Infineon e BSC014N04LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC050N03LSGATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55 C to +150 C
Channel Type N-Channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Tradename — OptiMOS

Fichas técnicas e recursos

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