BSC050N03LSGATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC050N03LSGATMA1 от Infineon и BSC014N04LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC050N03LSGATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,36 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC050N03LSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 80 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 5 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| Tradename | — | OptiMOS |