BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF5305STRRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC060P03NS3EGATMA1 par Infineon et IRF5305STRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC060P03NS3EGATMA1 IRF5305STRRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,62
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (Advanced Process)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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