BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF5305STRRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon e IRF5305STRRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC060P03NS3EGATMA1 IRF5305STRRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,62
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (Advanced Process)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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