BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF5305STRRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC060P03NS3EGATMA1 제조: Infineon 및 IRF5305STRRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.62 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (Advanced Process) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 트랜지스터 유형 | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |