BSC0901NSIATMA1 vs IRFH5015TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0901NSIATMA1 par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0901NSIATMA1 IRFH5015TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,62
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] 33 nC
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ max)

Fiches techniques et ressources

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