BSC0901NSIATMA1 vs IRFH5015TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0901NSIATMA1 por Infineon e IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0901NSIATMA1 IRFH5015TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,62
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] 33 nC
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de operação — -55C to +150C (TJ max)

Fichas técnicas e recursos

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