BSC0901NSIATMA1 vs IRFH5015TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0901NSIATMA1 제조: Infineon 및 IRFH5015TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0901NSIATMA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.62 |
| Technology | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 2.0 mOhm typical | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] | 33 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (TJ max) |