BSC098N10NS5ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC098N10NS5ATMA1 par Infineon et IPLU300N04S41R1XTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC098N10NS5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $3,45
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPLU300N04S41R1XTMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 W
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) — 1.15 mΩ
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 151 nC
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) — 12,090 pF
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) — ±20 V
Température de jonction en fonctionnement — 175 °C
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) — 260 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Configuration — Single with built-in diode
Packing — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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