BSC118N10NSGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC118N10NSGATMA1 par Infineon et BSC265N10LSFGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC118N10NSGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel N-Channel
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 2 (TrenchFET)
Lead Plating Pb-free —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

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