BSC155N06NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC155N06NDATMA1 par Infineon et BSC0993NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC155N06NDATMA1 BSC0993NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Configuration Dual N-channel MOSFET array Dual N-Channel (Array)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis