BSC155N06NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC155N06NDATMA1 メーカー: Infineon および BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC155N06NDATMA1 BSC0993NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $1.32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Configuration Dual N-channel MOSFET array Dual N-Channel (Array)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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