BSC155N06NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC155N06NDATMA1 por Infineon e BSC0993NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC155N06NDATMA1 BSC0993NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Configuration Dual N-channel MOSFET array Dual N-Channel (Array)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fichas técnicas e recursos

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