BSC520N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC520N15NS3G par Infineon et BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC520N15NS3G | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC520N15NS3 G | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 52 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ptot) at TC=25C | 57 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2.5 V to 3.5 V |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per JEDEC | — |
| Channel Type | N-Channel (normal level) | — |
| Typical Application | DC-DC conversion, synchronous rectification | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |