BSL215CH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL215CH6327XTSA1 par Infineon et BSS316NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL215CH6327XTSA1 | BSS316NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel and P-Channel Complementary Pair | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 1.5 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | 250 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 500 mW | — |
| Boîtier / Format | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Configuration | Half-bridge (1 N + 1 P) | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 2 (Trench) |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2 V at ID=3.7 uA |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 600 pC at VGS=5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 94 pF at VDS=15 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: output capacitance] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 500 mW |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Boîtier | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Lead Plating | — | Pb-free (Matte Tin) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |