BSL308PEH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSL215CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSL308PEH6327XTSA1 | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | — |
| Configuration | Dual, common source | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Boîtier / Format | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |