BSP125H6327XTSA1 vs IRLL024ZTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP125H6327XTSA1 par Infineon et IRLL024ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP125H6327XTSA1 IRLL024ZTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) SOT-223 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited floor life)
Qualification Automotive / Industrial grade —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C

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