BSP125H6327XTSA1 vs IRLL024ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP125H6327XTSA1 por Infineon e IRLL024ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP125H6327XTSA1 IRLL024ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) SOT-223 (TO-261-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited floor life)
Qualification Automotive / Industrial grade —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C

Fichas técnicas e recursos

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