BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP129H6327XTSA1 par Infineon et BSP135H6906XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP129H6327XTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP129H6327XTSA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,30 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | 120 mA |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage VGS(off) | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] | — |
| dv/dt Ruggedness | Yes (rated) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Process Technology | SIPMOS (vertical DMOS) | — |
| Drain Terminal | Tab (pin 4) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Nombre de broches | — | 4 (3 leads + drain tab) |
| Technology | — | SIPMOS (planar high-voltage) |