BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6906XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,30 $0,78
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)

Fichas técnicas e recursos

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