BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP129H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP135H6906XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP129H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.30 $0.78
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
動作温度範囲 — -55C to +150C
ピン数 — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)

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