BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP129H6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSP135H6906XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP129H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.30 $0.78
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
동작 온도 범위 — -55C to +150C
핀 수 — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청