BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSL308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP315PH6327XTSA1 | BSL308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,21 |
| FET Type | P-Channel | 2x P-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Configuration | — | Dual, common source |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Nombre de broches | — | 6 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Statut RoHS | — | Compliant |