BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP315PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.21
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Configuration — Dual, common source
動作温度 — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
ピン数 — 6
Channel Mode — Enhancement
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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