BSP315PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSP315PH6327XTSA1 от Infineon и BSL308PEH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSP315PH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,21
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) —
Корпус PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Configuration — Dual, common source
Рабочая температура — -55 C to +150 C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Количество выводов — 6
Channel Mode — Enhancement
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену