BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSS169H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP315PH6327XTSA1 | BSS169H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,15 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel Depletion Mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | Depletion-mode vertical DMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 360 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) Maximum | — | 6 Ohm at VGS=0 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Drain Current at 25C | — | 170 mA continuous |
| Typical RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] |