BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP315PH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS169H6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP315PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.31 $0.15
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 360 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT23 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
핀 수 — 3
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

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