BSP316PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP316PH6327XTSA1 par Infineon et BSD235CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP316PH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,12
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Boîtier PG-SOT223-4 (TO-261-4) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Nombre de broches 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Niveau MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Nombre de broches — 6

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