BSP316PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSP316PH6327XTSA1 | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,21 | $0,12 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Número de pinos | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS™ low-voltage |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ |
| Configuration | — | N+P complementary dual MOSFET |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 950 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 530 mA (negative polarity) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Package Type | — | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel |
| Contagem de pinos | — | 6 |