BSP92PH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSL308CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP92PH6327XTSA1 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Type de transistor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Nombre de broches | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| Configuration | — | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 18 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product family convention) |