BSP92PH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP92PH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSL308CH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSP92PH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.31 $0.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
트랜지스터 유형 P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
동작 온도 -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL 레벨 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
핀 수 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes (per Infineon product family convention)

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