BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSR315PH6327XTSA1 par Infineon et BSP125H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS P-Channel | — |
| FET Type | P-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -620 mA (Ta) | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max VGS) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 176 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 6 nC @ 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-SC59-3 / SOT-23-3 | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product family marking) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Qualification | — | Automotive / Industrial grade |