BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSR315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP125H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (TJ) —
パッケージ PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
動作温度 — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
MSLレベル — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

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