BSR316PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSR316PH6327XTSA1 par Infineon et BSP125H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSR316PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Boîtier PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive Automotive / Industrial grade
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (Unlimited)
Polarity P-Channel —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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