BSR316PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR316PH6327XTSA1 por Infineon e BSP125H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR316PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Encapsulamento PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive Automotive / Industrial grade
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (Unlimited)
Polarity P-Channel —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement

Fichas técnicas e recursos

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