BSR802NL6327HTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSR802NL6327HTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSR802NL6327HTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,15 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Boîtier | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Nombre de broches | 3 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Nombre de broches | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |