BSR802NL6327HTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSR802NL6327HTSA1 제조: Infineon 및 BSP316PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSR802NL6327HTSA1 BSP316PH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.15 $0.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
패키지 PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55C to +150C —
Qualification Automotive —
RoHS 상태 Compliant Compliant
핀 수 3 —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C (junction)
핀 수 — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
MSL 레벨 — 1
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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