BSS138L vs 2N7002LT1G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS138L par onsemi et 2N7002LT1G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS138L 2N7002LT1G
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,02 $0,02
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode —
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA —
Power Dissipation (Ta) 350 mW —
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density MOSFET
Gate Type Logic Level —
Boîtier SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Capacité d'entrée [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) [DATA_NEEDED: packaging type]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Nombre de broches — 3
Catégorie — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]

Fiches techniques et ressources

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