BSS138L vs 2N7002LT1G 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS138L 제조: onsemi 및 2N7002LT1G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS138L 2N7002LT1G
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.02 $0.02
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode —
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA —
Power Dissipation (Ta) 350 mW —
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density MOSFET
Gate Type Logic Level —
패키지 SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
입력 커패시턴스 [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) [DATA_NEEDED: packaging type]
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
핀 수 — 3
카테고리 — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]

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