BSS214NWH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon et BSS606NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS214NWH6327XTSA1 | BSS606NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,15 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Boîtier | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SOT-89 (TO-243AA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive (per family page) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | OptiMOS Small Signal/Power |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mΩ max @ VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Niveau MSL | — | 1 (per SOT-89 family standard) |
| Reel Quantity | — | 1000 pcs |