BSS214NWH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon e BSS606NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS214NWH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Encapsulamento PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT-89 (TO-243AA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive (per family page)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Nível MSL — 1 (per SOT-89 family standard)
Reel Quantity — 1000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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