BSS214NWH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS214NWH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS606NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS214NWH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.15 $0.13
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
패키지 PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT-89 (TO-243AA)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive (per family page)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
동작 접합 온도 — -55°C to +150°C
MSL 레벨 — 1 (per SOT-89 family standard)
Reel Quantity — 1000 pcs

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