BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS119NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS308PEH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Boîtier / Format PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (automotive grade)
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Boîtier — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

Fiches techniques et ressources

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