BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon e BSS119NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS308PEH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Encapsulamento / Caixa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (automotive grade)
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Encapsulamento — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

Fichas técnicas e recursos

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